同一個異常可能來自不同污染類型
製程缺陷、殘留、異常背景、濁度變化或批次差異，可能來自金屬、有機物、離子、粒子或多種污染源交互影響。需要依問題選擇合適分析技術。
應用情境
半導體化學品分析製程污染排查供應商材料驗證批次差異比較
可選規格
歡迎提供使用情境、材質、容量或尺寸需求，我們可協助確認方案。
產品說明
Ultra-trace Analytics 提供液體化學品超微量分析服務，適用於各類半導體化學品、高純酸鹼、電子級溶劑、UPW、清洗液、蝕刻液、電鍍液與製程液體。可依樣品與分析目的評估 GC-MS、ICP-MS、DMA-CPC、IC 等技術，分析金屬、有機物、離子與粒子相關污染。
液體化學品超微量分析
整合 GC-MS、ICP-MS、DMA-CPC、IC 等技術，協助解析半導體化學品中的微量污染來源。Ultra-trace Analytics 針對各類半導體化學品、高純酸鹼、電子級溶劑、UPW、清洗液、蝕刻液、電鍍液與製程液體，依樣品基質與分析目的評估合適的分析技術，協助檢測與判讀金屬元素、有機污染物、離子污染物、粒子 / 奈米粒子相關指標與其他製程污染線索。
半導體液體化學品的污染問題，通常不是單一儀器能完整回答
高純化學品中的污染濃度非常低
半導體化學品常需要追蹤 ppb、ppt，甚至更低濃度等級的污染線索。空白控制、容器潔淨、前處理方式與樣品基質會直接影響結果可信度。
不同基質會造成不同分析干擾
酸、鹼、溶劑、UPW、清洗液、蝕刻液、電鍍液與配方液的基質差異很大，可能影響儀器選擇、前處理條件、偵測能力與報告判讀。
只看 COA 不一定能解釋製程異常
供應商 COA 通常針對固定規格項目，但製程異常可能來自非規格內污染、未知有機峰、離子殘留、粒子變化或容器與管線導入的污染。
以問題導向設計的液體化學品超微量分析服務
多技術整合評估
可依樣品與問題類型評估 GC-MS、ICP-MS / ICP-MS/MS、DMA-CPC、IC 等分析技術，不只侷限於單一儀器。
半導體化學品導向
適用於高純酸鹼、電子級溶劑、UPW、清洗液、蝕刻液、電鍍液、製程添加劑與其他半導體液體化學品。
污染類型分類
可依需求評估金屬污染、有機污染、離子污染、粒子 / 奈米粒子相關指標與批次差異。
低背景污染控制思維
重視樣品容器、空白、試劑、前處理、操作環境與方法限制對結果的影響。
異常排查與比較分析
可協助 good sample / bad sample、不同批次、不同供應商、製程前後樣品與 reference sample 的比較。
報告與技術討論
可依委測範圍提供結果判讀、可能污染方向、方法限制與後續分析建議。
應用情境
可評估的分析技術
- • ICP-MS / ICP-MS/MS：金屬元素、元素雜質、trace metals analysis
- • GC-MS：有機污染物、溶劑雜質、未知有機峰
- • DMA-CPC：粒子 / 奈米粒子相關指標（依樣品條件確認）
- • IC（Ion Chromatography）：陰離子 / 陽離子污染物
- • 其他方法：依問題與基質可行性評估
適用樣品與基質
- • 高純酸鹼：HF、HCl、HNO3、H2SO4、H3PO4、NH4OH、TMAH（依安全性確認）
- • 電子級溶劑：IPA、Acetone、PGMEA/PGME、nBAC、OK73 等
- • 水與清洗液：UPW / DI water、Rinse water、清洗液、製程水樣
- • 製程液體：Etchant、Stripper/Remover、Plating bath、Slurry 上清液等
- • 品質與異常排查：good sample / bad sample、不同比較樣品
液體化學品超微量分析流程
- • Step 1 需求與樣品資訊確認
- • Step 2 技術路線評估
- • Step 3 樣品接收與前處理
- • Step 4 儀器分析
- • Step 5 QC 與數據檢查
- • Step 6 報告交付與技術討論
可提供的報告內容
- • 樣品資訊、分析技術、分析結果與表示方式
- • 方法摘要、QC 或比較資訊（依委測範圍）
- • 備註與限制：基質干擾、空白背景、未知峰比對限制等
- • 後續建議：污染來源假設或下一步分析方向
送樣前，建議先提供這些資訊
不確定該用 GC-MS、ICP-MS、DMA-CPC 還是 IC？請提供樣品 SDS、分析目的與目標污染物，我們可協助評估合適的分析技術組合。
- ☑ 樣品名稱與用途
- ☑ SDS 或主要成分資訊
- ☑ 樣品類型（酸、鹼、溶劑、水樣、清洗液、蝕刻液、電鍍液、slurry 或其他製程液體）
- ☑ 分析目的（品質確認、供應商比較、製程異常排查、未知污染追蹤等）
- ☑ 目標污染物（金屬、有機物、離子、粒子或未知污染）
- ☑ 預期濃度範圍或規格要求
- ☑ 是否有 good sample / bad sample、reference sample 或空白樣
- ☑ 樣品量與可提供瓶數
- ☑ 安全資訊（腐蝕性、揮發性、可燃性、毒性、反應性等）
- ☑ 是否需要特定單位、報告格式、QC 項目或客戶規格比對
服務範圍與需求確認
| 服務名稱 | 液體化學品超微量分析 |
|---|---|
| 英文名稱 | Liquid Chemical Ultra-trace Analysis Service |
| 適用技術 | GC-MS、ICP-MS / ICP-MS/MS、DMA-CPC、IC 等，依樣品與分析目的確認 |
| 適用樣品 | 各類半導體化學品、高純酸鹼、電子級溶劑、UPW、清洗液、蝕刻液、電鍍液、製程液體 |
| 可分析方向 | 金屬元素、有機污染物、離子污染物、粒子 / 奈米粒子相關指標、批次差異與製程異常線索 |
| 適用產業 | 半導體、高純化學品、電子材料、化學工業、高潔淨實驗室、材料研發與品保 |
| 服務內容 | 送樣評估、樣品前處理、儀器分析、數據檢查、報告交付與技術討論 |
| 需求資訊 | 請提供樣品名稱、SDS、主要成分、目標污染物、分析目的、樣品量、安全資訊與報告需求 |
本服務之實際分析能力需依樣品基質、目標污染物、濃度範圍、前處理方式、空白控制、儀器條件與方法可行性確認。若需 ppb、ppt 或更低濃度等級之分析，請先提供目標規格與樣品條件進行評估。
不同技術的適用性、偵測能力與報告形式差異很大。請提供樣品 SDS、主要成分、目標污染物、預期濃度範圍與分析目的，以利確認最合適的分析組合。
整合型超微量分析與單一儀器委測的差異
單一儀器委測
- • 針對明確污染類型進行分析
- • 例如 ICP-MS 分析金屬、GC-MS 分析有機物、IC 分析離子
- • 適合已知道目標污染物或已有明確規格的樣品
- • 報告方向通常較聚焦
液體化學品超微量分析
- • 從樣品問題與製程異常出發
- • 可評估 GC-MS、ICP-MS、DMA-CPC、IC 等多技術組合
- • 適合未知污染、批次差異、供應商比較與製程異常排查
- • 可依結果討論後續分析、方法開發或污染來源追蹤方向
FAQ
液體化學品超微量分析可以分析哪些樣品？
本服務適用於各類半導體化學品與高潔淨液體，例如高純酸鹼、電子級溶劑、UPW、清洗液、蝕刻液、電鍍液、製程添加劑與其他液體樣品。實際是否可分析需依 SDS、基質、安全性與分析目的確認。
這項服務會使用哪些分析技術？
可依樣品與污染問題評估 GC-MS、ICP-MS / ICP-MS/MS、DMA-CPC、IC 等技術。GC-MS 常用於有機污染方向，ICP-MS 常用於金屬元素方向，IC 可用於離子污染方向，DMA-CPC 可依方法評估粒子或奈米粒子相關指標。
半導體化學品為什麼需要超微量分析？
半導體製程對金屬、有機物、離子與粒子污染都很敏感。即使主成分規格合格，微量污染或批次差異仍可能影響製程穩定性、缺陷率、清洗效果或材料導入結果。
可以做到 ppt 或 ppb 等級分析嗎？
視樣品基質、目標污染物、前處理方式、空白控制、儀器條件與方法可行性，有些項目可評估 ppb、ppt 或更低濃度等級。實際可達能力需依樣品與測試結果確認。
如果不知道污染物是金屬、有機物還是離子，該怎麼辦？
可以先提供樣品背景、異常現象、製程位置、SDS 與是否有 good sample / bad sample。Ultra-trace Analytics 可依問題協助評估適合的分析技術組合。
GC-MS、ICP-MS、DMA-CPC、IC 有什麼不同？
GC-MS 主要用於有機污染與未知有機峰分析；ICP-MS 主要用於金屬元素與元素雜質分析；IC 主要用於離子污染分析；DMA-CPC 可依方法評估粒子或奈米粒子相關指標。實際選擇需依樣品與問題確認。
可以比較不同批次或不同供應商的化學品嗎？
可以依委測需求討論批次比較或供應商比較。建議提供多個批次、reference sample、good sample / bad sample 或使用前後樣品，以便比較差異與異常訊號。
送樣前需要提供哪些資料？
建議提供樣品名稱、SDS、主要成分、分析目的、目標污染物、預期濃度範圍、樣品量、安全資訊、是否有對照樣與報告需求。若樣品具腐蝕性、揮發性、可燃性、毒性或反應性，需提前說明。
需要評估半導體液體化學品中的微量污染？
請提供您的樣品 SDS、主要成分、分析目的、目標污染物、預期濃度範圍與是否有對照樣。Ultra-trace Analytics 可協助評估 GC-MS、ICP-MS、DMA-CPC、IC 等分析技術組合，並提供適合的委測分析方案與報價。