突破光學極限，精準捕捉 15nm 表面微粒
隨著半導體製程節點不斷微縮，晶圓表面的潔淨度已成為影響良率 (Yield) 的關鍵因素。一般的檢測設備已無法滿足先進製程的需求。我們提供高階 晶圓表面微粒分析服務 (Analytical Service)，利用先進的光學暗場 (Darkfield) 技術，為您提供非破壞性、高通量的表面缺陷檢測方案。

核心技術規格 (Key Capabilities)
本服務專為檢測極微小顆粒與表面缺陷而設計，具備以下核心優勢：

極致偵測靈敏度 (Sub-20nm Sensitivity)： 能夠偵測並定位小至 15nm 的微粒 (以 PSL 或 SiO2 標準粒子為基準)。對於先進製程中致命的微小缺陷（Killer Defects）無所遁形。
先進 Darkfield 光學技術 (Advanced Darkfield Optics)： 利用雷射散射光原理（Laser Scattering），透過暗場檢測技術有效過濾背景雜訊，大幅提升對微小顆粒的信噪比 (SNR)。不僅能偵測顆粒，亦能識別刮痕 (Scratch) 及殘留物 (Residue)。
廣泛的晶圓尺寸支援： 分析機台具備高度彈性，完整支援 100mm (4吋)、150mm (6吋)、200mm (8吋) 及 300mm (12吋) 之矽晶圓、化合物半導體晶圓 (如 SiC, GaN) 及玻璃基板。

服務優勢與應用 (Applications)
我們的分析報告不僅提供數據，更協助您解決製程問題：
製程機台監控 (Tool Monitoring)： 驗證蝕刻、沉積或清洗機台是否產生微粒汙染。
清洗製程最佳化 (Cleaning Process Optimization)： 評估清洗前後的微粒移除效率 (PRE)，確認 15nm 等級微粒的去除效果。
材料研發 (Material R&D)： 針對新基板材料或光阻材料進行潔淨度驗證。
全晶圓缺陷分布圖 (Full Wafer Map)： 提供完整的 Wafer Map 輸出，協助工程師判讀微粒分佈模式 (Signature)，以追溯汙染源。

為什麼選擇我們的分析服務？
無需購置昂貴機台： 透過委託分析服務，直接獲取高階檢測設備的數據，節省鉅額資本支出 (CAPEX)。
快速周轉時間 (Fast Turnaround)： 專業實驗室團隊運作，確保在最短時間內提供分析報告。
客製化分析參數： 可針對特定缺陷類型或 Haze (霧度) 量測需求調整光學參數。

技術規格摘要表 (Technical Specs)