100mm (4吋) P-type 裸矽拋光控片：高潔淨度 CZ 晶圓，精準監控製程參數

產品特色:
嚴格的微粒控制 (Strict Particle Control): 優於一般測試片標準，LLS (≥0.15 µm) 控制在 50 顆以下，確保監控過程不引入額外汙染源。
優異的幾何平坦度 (Superior Flatness): 總厚度變異 (TTV) 小於 5 µm，翹曲度 (Warpage) 小於 40 µm，確保光阻塗佈均勻性與微影製程的對焦準確度。
標準化製程規格 (Standard Process Spec): 採用 CZ 拉晶法與硼 (Boron) 摻雜，正面拋光搭配背面酸蝕 (Acid Etched)，符合主流 4 吋產線的製程需求。

產品介紹: 在 4 吋 (100mm) 半導體產線與 MEMS 製程中，控片 (Monitor Wafer) 的品質直接影響製程參數的判讀準確性。使用品質不穩定的回收片或低階測試片，往往會因為 TTV 過大或表面微粒過多，導致薄膜厚度量測誤差，甚至汙染昂貴的製程腔體。

Ultra-trace Analytics 提供的這款 100mm P-type 裸矽拋光控片，是專為追求數據精準度的工程師所選。我們嚴格規範每片晶圓的幾何參數與表面潔淨度。不同於市面上來源混雜的測試片，本產品明確標示電阻率範圍 (10-20 Ω-cm) 與微粒數據，並在背面進行酸蝕處理與雷射刻號，方便產線追溯管理。無論是作為爐管擋片、鍍膜測厚還是蝕刻速率監控，它都能提供最可靠的基準。

技術規格表 Spec:
直徑 : 100mm
導電型別 (Type/Dopant): P-type / Boron (硼)
晶向 (Orientation): <100>
電阻率 (Resistivity): 10 - 20 Ω-cm
厚度 (Thickness): 525 µm
表面處理 (Surface): 正面拋光 (Polished)
微粒數 (LLS Particles): ≥ 0.15 µm ≤ 50 ea/wafer (高潔淨度)
切邊規格 (Flat): Primary/ Secondary available
雷射刻號 (Laser Mark): 有

應用場景:
微粒監測 (Particle Check): 用於設備維修保養 (PM) 後的潔淨度確認，確保腔體無汙染。
薄膜製程監控 (Thin Film Monitor): 適用於氧化、擴散、CVD 與 PVD 製程的厚度與均勻性量測。
黃光微影測試: 優異的 TTV 與平坦度，適合用於光阻塗佈參數調整與曝光能量測試。

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